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hochstabile Monocrystalline Silizium-Druck-/Differenzdrucksensorchips

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xReichweite | 40Kpa | Überspannung (zurück) | 5Mpa |
---|---|---|---|
Überspannung (positiv) | 6Mpa | empfohlene Spannung | 4.5~5.5V |
Verzerrung | < 0,050 % FS |
Bewis BW-MD-Serie von hochstabilen monokristallinen Silizium-Sensor-Chip, die eine Reihe von hervorragenden Leistungen aufweist, und wurde in Chargen auf den internationalen Markt gegossen.Es wurde in der petrochemischen Industrie weit verbreitet., metallurgische Energie, industrielle Automatisierung, Luft- und Raumfahrt, Internet der Dinge und andere Bereiche in Europa und Asien.
Eigenschaften (gemessen bei I=0,3mA, T=23°C)
Parameter | Min. | Typ | maximal | Einheit | |
Brückenwiderstand | 9.5 | 10 | 10.5 | kΩ | |
Offsetspannung | -3 | 0 | +3 | mV/V | |
Versorgungsspannung | - | 3 | 10 | V | |
Versorgungsstrom | - | 0.3 | 1 | mA | |
Temperaturkoeffizient des Brückenwiderstands | +0. Das ist alles.05 | +0. Das ist alles.08 | +0. Das ist alles.12 | % FS/K | |
Temperaturkoeffizient des Nullpunktes | - Oh, nein.05 | ±0.03 | +0. Das ist alles.05 | % FS/K | |
Temperaturkoeffizient der vollen Skala | - Oh, nein.05 | - Oh, nein.08 | - Oh, nein.15 | ||
Temperaturverzerrung (42h, 30°C bis 135°C bis 30°C) |
0.02 | 1 | 2 | UV/V | |
Eigenschaften des statischen Drucks | - | 0.03 | - | ±% FS/10MPa | |
Langfristige Stabilität (1000h, 135°C) | - | ≤ 3 | ± 5 | UV/V | |
Nichtlinearität | - | ≤ 03 | - | ±% FS | |
Empfindlichkeit | MD1-MD2 | 6 | 8 | 10 | mV/V |
MD3-MD8 | 15 | 20 | 25 | mV/V |
Stabilität(Heizung von 23°C auf 85°C für 30 Stunden, Rückkehr auf 23°C. Messung der Nullverschiebung über 42 Stunden)